本发明公开了一种制作金属栅极的方法，本发明在制作金属栅极过程中，由于对阻挡层进行干法过刻蚀而造成的凹角采用两个步骤弥补，也就是沉积第二阻挡层后，抛光或刻蚀至替代栅极表面，然后在此基础上进行后续去除替代栅极，在所去除替代栅极区域填充金属栅极并抛光至介质层的步骤后，形成金属栅极。由于本发明在去除凹角缺陷时，不像现有技术那样通过多抛光金属栅极的过程完成，所以不会影响所制作的金属栅极高度，使得所制作的金属栅极高度与替代栅极高度相同，不会被损失。因此，最终所制作的半导体也不容易失效且良率提高。