发明授权
- 专利标题： 准SOI结构的制造方法
- 专利标题（英）： Manufacturing method for quasi SOI (silicon on insulator) structure
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申请号： CN201110247770.2申请日： 2011-08-24
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公开(公告)号： CN102956536B公开(公告)日： 2014-09-03
- 发明人: 李凤莲
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L21/336
摘要：
一种半导体技术领域的准SOI结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括中间区域和边缘区域，所述中间区域的上表面高于所述边缘区域的上表面；在所述边缘区域的上表面、所述中间区域的侧表面和上表面形成绝缘层；去除所述边缘区域上表面边缘部分对应的绝缘层和所述中间区域上表面对应的绝缘层；外延生长半导体材料，所述半导体材料覆盖所述绝缘层。本发明制造方法简单。
公开/授权文献
- CN102956536A 准SOI结构的制造方法 公开/授权日：2013-03-06
IPC分类:
