发明授权
CN102941079B 光电催化剂多层氧化锌纳米线阵列的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 光电催化剂多层氧化锌纳米线阵列的制备方法
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申请号： CN201210438746.1申请日： 2012-11-07
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公开(公告)号： CN102941079B公开(公告)日： 2014-10-15
- 发明人: 李珍 , 林栋 , 李翠 , 康维君 , 王雪嫄 , 廖浩伯 , 潘登余
- 申请人： 上海大学
- 申请人地址： 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人： 上海大学
- 当前专利权人： 上海大学
- 当前专利权人地址： 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构： 上海上大专利事务所
- 代理商 陆聪明
- 主分类号： B01J23/06
- IPC分类号： B01J23/06 ; C01G9/02 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明涉及一种光电催化剂多层氧化锌纳米线阵列的制备方法，该方法本专利首次采用化学气相沉积与液相法相结合并重复生长的方法成功制备了多层ZnO纳米线阵列，此方法制备得到的ZnO纳米线阵列的纯度高，无金属催化剂存在；垂直性好，气相生长部分与液相生长部分始终沿着[0001]方向生长；方法的实验操作的重复性高，可以制备更多层数的ZnO纳米线阵列，从而大幅度增加ZnO纳米线阵列的长度。
公开/授权文献
- CN102941079A 光电催化剂多层氧化锌纳米线阵列的制备方法 公开/授权日：2013-02-27
