一种浅槽隔离结构及其形成方法，所述形成方法包括：在半导体衬底上形成腐蚀阻挡层；刻蚀所述腐蚀阻挡层和半导体衬底，形成沟槽；在所述腐蚀阻挡层的表面以及沟槽的侧壁、底部形成保护层；在形成有保护层的所述沟槽内填充介质材料，形成介质层；在所述介质层上形成分子筛；透过所述分子筛向所述介质层通入反应气体，以去除全部介质层，从而在所述沟槽内形成空气间隔；在所述分子筛上形成绝缘介质层。本技术方案提供的浅槽隔离结构的制作方法，工艺简单，成本较低。