发明授权
- 专利标题: 一种双大马士革结构的制作方法
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申请号: CN201210405324.4申请日: 2012-10-22
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公开(公告)号: CN102881650B公开(公告)日: 2017-12-15
- 发明人: 姚嫦娲
- 申请人: 上海集成电路研发中心有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高斯路497号
- 专利权人: 上海集成电路研发中心有限公司
- 当前专利权人: 上海集成电路研发中心有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高斯路497号
- 代理机构: 上海天辰知识产权代理事务所
- 代理商 吴世华; 林彦之
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768
摘要:
本发明提供一种双大马士革结构的制作方法,包括在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层;在介质层上涂布第一光刻胶,经光刻,形成通孔刻蚀图形;经刻蚀和去胶,在介质层上形成通孔;在介质层上淀积沟槽介质膜,并平坦化沟槽介质膜;在沟槽介质膜上涂布第二光刻胶,经光刻,形成沟槽刻蚀图形;经刻蚀和去胶,形成沟槽;刻蚀暴露的中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜;金属填充通孔和沟槽。因此,通过本发明的方法,简化了制备工艺,使刻蚀工艺更加稳定和易于控制,提高了生产效率。
公开/授权文献
- CN102881650A 一种双大马士革结构的制作方法 公开/授权日:2013-01-16
IPC分类: