- 专利标题: 单层和多层石墨烯及其制造方法、具有单层和多层石墨烯的物体或电器设备
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申请号: CN201210191843.5申请日: 2012-06-01
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公开(公告)号: CN102810671B公开(公告)日: 2017-07-14
- 发明人: 小国哲平 , 长多刚 , 竹內敏彦 , 野元邦治
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县厚木市
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县厚木市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 林毅斌; 杨思捷
- 优先权: 2011-124952 20110603 JP 2011-125057 20110603 JP
- 主分类号: H01M4/583
- IPC分类号: H01M4/583 ; H01M4/133 ; H01M4/1393 ; H01M10/0525
摘要:
本发明的一个方式的目的之一是在具有凹凸的物体上以实际上均匀的厚度形成石墨烯。在将物体浸渍在氧化石墨烯溶液中之后,从溶液中取出该物体且对其进行干燥,或者浸渍物体和电极且将所述物体用作阳极并对所述物体与所述电极之间施加电压。因为氧化石墨烯带负电,所以以实际上均匀的厚度被吸引且附着到物体的表面。然后,通过在真空或还原气氛中对物体进行加热,使氧化石墨烯还原而得到石墨烯。通过上述步骤,即使在具有凹凸的物体的表面也可以形成具有实际上均匀的厚度的石墨烯。例如,也可以在晶须状的硅表面形成石墨烯的层,将其用作锂离子二次电池等蓄电装置。
公开/授权文献
- CN102810671A 单层和多层石墨烯及其制造方法、具有单层和多层石墨烯的物体或电器设备 公开/授权日:2012-12-05