发明授权
- 专利标题： 制造半导体模块的方法以及半导体模块
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申请号： CN201210158325.3申请日： 2012-05-11
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公开(公告)号： CN102779762B公开(公告)日： 2015-08-12
- 发明人: 阪井孝江 , 村上雅启 , 栉野正彦 , 天野义久 , 得能真一
- 申请人： 夏普株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张欣
- 优先权： 2011-108159 2011.05.13 JP; 2012-029803 2012.02.14 JP
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L23/31 ; H01L23/48
摘要：
为了可靠地将外部屏蔽接地并减少施加在切割刀和外部屏蔽上的负担，用于制造半导体模块的方法包括形成从密封树脂层3的顶部表面延伸至提供在集合衬底100上的接地引线111(112)的洞孔30的洞孔形成步骤，形成由导电材料制成的导电膜从而覆盖至少密封树脂层3的顶部表面、洞孔的内表面20、以及接地引线111(112)的成膜步骤，以及将独立模块部分所包括的多个独立模块部分彼此分离的分离步骤。
公开/授权文献
- CN102779762A 制造半导体模块的方法以及半导体模块 公开/授权日：2012-11-14
IPC分类:
