发明授权
- 专利标题： 使用薄平面半导体的高效光伏背触点太阳能电池结构和制造方法
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申请号： CN201080063494.8申请日： 2010-12-09
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公开(公告)号： CN102763226B公开(公告)日： 2016-01-27
- 发明人: M·M·穆斯利赫 , P·卡普尔 , K·J·克拉默 , D·X·王 , S·苏特 , V·V·雷纳 , A·卡尔卡特拉 , E·范·科斯查伟
- 申请人： 速力斯公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 速力斯公司
- 当前专利权人： 速力斯公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- 代理商 谭志强
- 优先权： 61/285,140 2009.12.09 US
- 国际申请： PCT/US2010/059759 2010.12.09
- 国际公布： WO2011/072161 EN 2011.06.16
- 进入国家日期： 2012-08-09
- 主分类号： H01L31/042
- IPC分类号： H01L31/042 ; H01L31/0216
摘要：
本发明提供了背结背触点太阳能电池及其制造方法。所述背结背触点太阳能电池包括衬底，所述衬底具有：具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，以及掺杂的背面发射极区域，所述背面发射极区域的极性与掺杂的基极区域相反。发射极上的背面钝化层和图案化的反射层形成光捕获背面反射镜。在所述太阳能电池的背面设置交叉指状金属化图案，并且为该电池的支撑提供永久性加强物。
公开/授权文献
- CN102763226A 使用薄平面半导体的高效光伏背触点太阳能电池结构和制造方法 公开/授权日：2012-10-31
IPC分类:
