发明授权
- 专利标题: 多晶硅还原炉
- 专利标题(英): Polysilicon reducing furnace
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申请号: CN201110075646.2申请日: 2011-03-28
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公开(公告)号: CN102701209B公开(公告)日: 2015-04-15
- 发明人: 李仙寿 , 吴梅
- 申请人: 四川瑞能硅材料有限公司
- 申请人地址: 四川省眉山市东坡区修文镇
- 专利权人: 四川瑞能硅材料有限公司
- 当前专利权人: 四川瑞能硅材料有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省眉山市东坡区修文镇
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 逯长明
- 主分类号: C01B33/03
- IPC分类号: C01B33/03
摘要:
本发明实施例公开了一种多晶硅还原炉,包括炉体和底盘,所述底盘上具有多对均匀分布的电极,所述电极的排布呈蜂窝状,具体为:所述底盘中心具有六个电极,所述六个电极以所述底盘的中心为中心点呈正六边形排布,所述六个电极分别位于所述正六边形的六个顶点处;以所述正六边形为中心,其它电极向外排布,并且,最外层电极的连线近似为以所述底盘的中心为圆心的圆。本发明实施例提供的多晶硅还原炉,提高了多晶硅产品的质量,并且,通过扩展电极的对数,在保证产品质量的同时,还能够降低生产单位质量的多晶硅产品的能量消耗。
公开/授权文献
- CN102701209A 多晶硅还原炉 公开/授权日:2012-10-03
IPC分类: