发明授权
- 专利标题： 一种相变存储单元及其形成方法
- 专利标题（英）： Phase change memory unit and forming method thereof
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申请号： CN201110037012.8申请日： 2011-02-12
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公开(公告)号： CN102637821B公开(公告)日： 2014-04-02
- 发明人: 任万春 , 宋志棠 , 刘波
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
摘要：
本发明提供一种相变存储单元，包括相变材料层，还包括位于相变材料层表面的氮化相变材料层。同时还提供一种形成该相变存储单元的方法，包括：提供相变材料层；在所述相变材料层表面形成氮化相变材料层。本发明所提供技术方案可有效降低相变存储单元工作时的热损耗，提高相变存储单元的工作稳定性，工序简单易行，实现成本较低。
公开/授权文献
- CN102637821A 一种相变存储单元及其形成方法 公开/授权日：2012-08-15
IPC分类:
