发明授权
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method for manufacturing the same
-
申请号： CN201110273231.6申请日： 2011-09-15
-
公开(公告)号： CN102629594B公开(公告)日： 2014-11-12
- 发明人: 芳村淳 , 岩见文宏
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 陈海红; 杨光军
- 优先权： 022621/2011 2011.02.04 JP
- 主分类号： H01L21/78
- IPC分类号： H01L21/78 ; H01L21/02
摘要：
在一个实施方式中，在通过在第一面粘贴的表面保护膜维持晶片形状的半导体晶片涂覆液状粘接剂，形成粘接剂层。在半导体晶片的第二面粘贴具有粘接层的支持片。在剥离表面保护膜之后，拉伸支持片，分断包括在切割槽内填充的粘接剂的粘接剂层。维持支持片的拉伸状态并洗涤。在洗涤前，选择地降低粘接层的与切割槽相对应的部分的粘接力。
公开/授权文献
- CN102629594A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2012-08-08
IPC分类:
