- 专利标题: 半导体器件及其制造方法、用于传输信号的方法
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申请号: CN201210016492.4申请日: 2012-01-18
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公开(公告)号: CN102610588B公开(公告)日: 2015-09-23
- 发明人: 马库斯·哈默 , 伯恩哈德·科诺特 , 安德烈亚斯·斯特拉瑟 , 乌韦·瓦尔 , 斯特凡·维尔科费尔
- 申请人: 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址: 德国瑙伊比贝尔格市
- 专利权人: 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人: 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 德国瑙伊比贝尔格市
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余刚; 吴孟秋
- 优先权: 13/008,591 2011.01.18 US
- 主分类号: H01L23/522
- IPC分类号: H01L23/522 ; H01L23/64 ; H01L23/495 ; H01L21/60 ; H04L25/02
摘要:
本发明公开了半导体器件及其制造方法、以及用于传输信号的方法。根据本发明的实施例,半导体器件包括:第一半导体芯片,包括第一线圈;第二半导体芯片,包括感应地耦接于第一线圈的第二线圈;以及隔离中间层,位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。
公开/授权文献
- CN102610588A 半导体器件及其制造方法、用于传输信号的方法 公开/授权日:2012-07-25
IPC分类: