- 专利标题: 一种基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件及其生产方法
- 专利标题(英): Multilayer spacer type IC (Integrated Circuit) chip stacked package of substrate and production method of package
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申请号: CN201110455062.8申请日: 2011-12-31
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公开(公告)号: CN102569272B公开(公告)日: 2014-06-25
- 发明人: 郭小伟 , 朱文辉 , 慕蔚 , 王永忠
- 申请人: 天水华天科技股份有限公司 , 华天科技(西安)有限公司
- 申请人地址: 甘肃省天水市秦州区双桥路14号
- 专利权人: 天水华天科技股份有限公司,华天科技(西安)有限公司
- 当前专利权人: 天水华天科技股份有限公司,华天科技(西安)有限公司
- 当前专利权人地址: 甘肃省天水市秦州区双桥路14号
- 代理机构: 甘肃省知识产权事务中心
- 代理商 李琪
- 主分类号: H01L25/00
- IPC分类号: H01L25/00 ; H01L23/488 ; H01L23/31 ; H01L21/60 ; H01L21/56
摘要:
本发明公开了一种基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件及其生产方法,封装件包括BT基板,BT基板的载体上粘接有至少两块IC芯片,所有的IC芯片依次堆叠粘贴,各IC芯片上的焊盘通过键合线与BT基板上的焊盘相连接,BT基板上固封有塑封体,相邻两IC芯片之间粘贴有隔片。将晶圆和隔片减薄划片,在BT基板的载体上粘接IC芯片,然后在该IC芯片上粘接隔片,隔片上再粘接IC芯片,堆叠的层数满足使用要求,每粘接一块IC芯片均需烘烤、等离子清洗、压焊,然后再继续粘接IC芯片,之后采用现有工艺进行后续工序,制得要求层数的基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件。本封装件不影响键合线的高度,提高了芯片的散热和绝缘性能。
公开/授权文献
- CN102569272A 一种基板的多层隔片式IC芯片堆叠封装件及其生产方法 公开/授权日:2012-07-11
IPC分类: