发明公开
- 专利标题: 三维集成电路结构及材料的制造方法
- 专利标题(英): Manufacture method of three-dimensional integrated circuit structure and material
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申请号: CN201210016388.5申请日: 2012-01-19
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公开(公告)号: CN102543855A公开(公告)日: 2012-07-04
- 发明人: 郭福春 , 刘冬生
- 申请人: 讯创(天津)电子有限公司 , 郭福春 , 刘冬生
- 申请人地址: 天津市西青经济开发区宏源道12号天直工业园4号B座
- 专利权人: 讯创(天津)电子有限公司,郭福春,刘冬生
- 当前专利权人: 讯创(天津)电子有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市西青经济开发区宏源道12号天直工业园4号B座
- 代理机构: 天津市杰盈专利代理有限公司
- 代理商 王小静
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L21/02
摘要:
本发明涉及一种新型的三维集成电路结构及材料的制造方法,步骤是在热塑性承载材料中加入醇类和/或醛类,用注塑机注塑成型为构件,质量含量5-10%;用激光射线在构件的表面照射出的线路图案;浸入pH=4-6的至少一种金属离子的溶液浸泡5-7分钟,水洗后放入pH=5的含有还原剂的水溶液中浸泡5-7分钟,在还原生成金属核的区域进行化学镀铜,镀层厚度为1-12微米,再中磷化学镀镍,镀层厚度为2-3微米。本发明在制备金属电路导体的过程中,由于塑性材料中不含有任何金属元素,保持了承载材料的原有机械性能,而且性能稳定,提高了导体轨道与承载材料之间的附着力,提高了三维集成电路的质量,降低了成本,减少了污染。
公开/授权文献
- CN102543855B 三维集成电路结构及材料的制造方法 公开/授权日:2014-07-09
IPC分类: