发明授权
CN102509648B 一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method for Ga-doped ZnO nanometer material
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申请号: CN201110324879.1申请日: 2011-10-24
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公开(公告)号: CN102509648B公开(公告)日: 2013-11-27
- 发明人: 顾有松 , 邱英 , 秦子 , 张跃
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 北京东方汇众知识产权代理事务所
- 代理商 刘淑芬
- 主分类号: H01G9/20
- IPC分类号: H01G9/20 ; B82Y40/00
摘要:
一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法,属于纳米材料的制备技术领域。其特征在于:将摩尔比为1:0.01~1:0.1的硝酸锌和硝酸镓溶于去离子水中,PH值控制在9~11范围内,接着将混合液进行30min超声处理得到反应前驱液。将FTO导电玻璃基底经丙酮,无水乙醇,异丙醇和去离子水超声清洗干净后,进行干燥处理。然后将处理好的玻璃基片置于之前配制好的反应前驱液中,密封后保温处理,最后取出玻璃片用去离子水冲洗干燥得附有掺杂ZnO纳米材料的玻璃片。本发明合成方法反应温度低,设备简单,成本低,同时所制得的产物表面蓬松多孔,孔隙率大,电导率高,适合于在染料敏化太阳能电池等器件上的应用。
公开/授权文献
- CN102509648A 一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法 公开/授权日:2012-06-20