发明公开
- 专利标题: 掺杂气发生装置
- 专利标题(英): Doped gas generation device
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申请号: CN201110410142.1申请日: 2009-06-30
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公开(公告)号: CN102495128A公开(公告)日: 2012-06-13
- 发明人: 张仲夏 , 李徽 , 张阳天 , 林津 , 刘建华
- 申请人: 同方威视技术股份有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 专利权人: 同方威视技术股份有限公司
- 当前专利权人: 同方威视技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 吴敬莲
- 分案原申请号: 2009100886280 2009.06.30
- 主分类号: G01N27/62
- IPC分类号: G01N27/62
摘要:
本发明涉及一种为离子迁移谱仪提供反应气的掺杂气发生装置,包括:掺杂罐;进气管,所述进气管的进口端与载气气路的上游侧连接,其出口端与掺杂罐连接;出气管,所述出气管的进口端与掺杂罐连接,其出口端与载气气路的下游侧连接;掺杂气发生单元,其用于释放掺杂剂气体,其中掺杂气发生单元置于所述掺杂罐中;和加热控温装置。通过将用于释放掺杂气体的掺杂气发生单元置于所述掺杂罐中,本发明的掺杂气不仅可用固态掺杂剂,也可以用于液态掺杂剂。
公开/授权文献
- CN102495128B 一种适于掺杂气发生装置的加热控温装置 公开/授权日:2015-08-19