本发明公开了一种集成电路用磷铜阳极的制备方法，采用高纯度石墨作为坩埚和模具材料，在高真空中频感应熔炼炉中熔化纯度为99.99％及以上的高纯铜铸锭，在1150～1300℃中加入含磷6～16wt.％的磷铜中间合金，加入磷铜中间合金与高纯铜铸锭的重量比为1∶50～600，在1150～1300℃下保温20～30min，再静置20分钟后，浇入石墨模具，得到磷铜合金铸锭；得到的磷铜合金铸锭切除铸锭冒口后，经过多向锻造和轧制，以及在300～600℃保温0.5～12小时再结晶处理后，经过表面处理，机械加工出集成电路用磷铜阳极。该方法制备的磷铜阳极具有杂质含量低，氧含量低，磷含量分布均匀，晶粒细小、均匀等特点。