发明授权
- 专利标题： 无机物粒子分散型溅射靶
- 专利标题（英）： Inorganic particle-dispersed sputtering target
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申请号： CN201080020550.X申请日： 2010-07-27
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公开(公告)号： CN102482764B公开(公告)日： 2014-06-18
- 发明人: 佐藤敦 , 中村祐一郎
- 申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 吉坤日矿日石金属株式会社
- 当前专利权人： 捷客斯金属株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王海川; 穆德骏
- 优先权： 2009-183418 2009.08.06 JP
- 国际申请： PCT/JP2010/062590 2010.07.27
- 国际公布： WO2011/016365 JA 2011.02.10
- 进入国家日期： 2011-11-10
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; G11B5/851
摘要：
一种无机物粒子分散型溅射靶，在Co基质中分散有无机物粒子，其特征在于，无机物粒子的电阻率为1×101Ω·m以下，并且靶中无机物粒子所占的体积比率为50％以下。这样调节后的溅射靶具有在利用具备DC电源的磁控溅射装置进行溅射时无机物粒子的带电少、飞弧产生少的优点。因此，如果使用本发明的溅射靶，则具有可以抑制起因于飞弧的粉粒的产生，提高薄膜制作时的成品率的显著效果。
公开/授权文献
- CN102482764A 无机物粒子分散型溅射靶 公开/授权日：2012-05-30
IPC分类:
