在指定区域形成侧墙的方法
摘要:
本发明涉及一种在指定区域形成侧墙的方法,该方法包括:提供前端器件层,前端器件层包含至少一个指定区域,指定区域由非功能区域包围,指定区域包含至少一个需要形成侧墙的器件,在前端器件层上依次形成第一保护层和第二保护层;在第二保护层上形成带有开口图案的光刻胶层,开口图案对应指定区域和一部分非功能区域或对应指定区域和全部非功能区域;以光刻胶层为掩膜,刻蚀第二保护层,然后刻蚀第一保护层,以露出指定区域;在露出指定区域的前端器件层上形成侧墙材料层;刻蚀侧墙材料层,以在需要形成侧墙的器件的周围形成侧墙。本发明可避免除需要形成侧墙的器件之外的其他器件被刻蚀气体损耗,且工艺简单,便于实现。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造(由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00,H05K13/00)
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理(电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115)
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件(改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304)
H01L21/82 ....制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的(H01L21/8258优先)
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
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