本发明提供制造能够制造可抑制空气桥的强度下降、抑制半导体元件的特性劣化，而且能够避免隔离材料的残留且被覆面积大的空气桥的空气桥制造方法。该方法是：在抗蚀层(100)上涂布作为第2抗蚀层的抗蚀层(102)。对于抗蚀层(102)，也和第1层(抗蚀层(100))一样，通过进行曝光显影留下规定的尺寸(L2)，其后，涂布第3抗蚀层(抗蚀层(104))。在第3层(抗蚀层(104))也进行曝光显影，留下规定的尺寸(L3)。在形成的抗蚀层(100、102、104)的叠层结构上，叠层形成空气桥(10)的材料的层(106)，以形成空气桥(10)。通过去除抗蚀层，完成截面形状为阶梯状的空气桥(10)的制作。