- 专利标题： 改进双重通孔刻蚀停止层交叠区域通孔刻蚀的方法
- 专利标题（英）： Method used for improving dual contact-etch-stop-layer crossover region contact etch
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申请号： CN201110235219.6申请日： 2011-08-17
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公开(公告)号： CN102446819B公开(公告)日： 2014-03-12
- 发明人: 俞柳江
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 王敏杰
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/311
摘要：
本发明改进双重通孔刻蚀停止层交叠区通孔刻蚀方法解决了现有技术中形成在交叠区域上的通孔无法完全打开的问题，在双重通孔刻蚀停止层工艺完成后，通过使用稀释的氢氟酸并采用超声清洗方法，去除上层二氧化硅保护薄膜和上层氮化硅应力薄膜，之后采用不同选择比的刻蚀方法实现普通区域和交叠区域的通孔同时打开的技术效果。
公开/授权文献
- CN102446819A 改进双重通孔刻蚀停止层交叠区域通孔刻蚀的方法 公开/授权日：2012-05-09
IPC分类:
