发明授权
- 专利标题： 湿法处理方法及回蚀方法
- 专利标题（英）： Wet processing method and pull back method
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申请号： CN201010508098.3申请日： 2010-10-15
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公开(公告)号： CN102446702B公开(公告)日： 2014-03-19
- 发明人: 刘焕新
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 北京市经济技术开发区文昌大道18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市经济技术开发区文昌大道18号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅; 李时云
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/762
摘要：
本发明公开了一种湿法处理方法及回蚀方法，所述湿法处理方法在对半导体衬底进行稀释的氢氟酸处理后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒；所述回蚀方法在利用稀释的氢氟酸对半导体衬底上的垫氧化层进行回蚀后，利用去离子水将所述稀释的氢氟酸逐渐排出，并在同一槽中对所述半导体衬底进行去离子水冲洗，从而避免在半导体衬底上产生颗粒，提高了半导体器件的性能。
公开/授权文献
- CN102446702A 湿法处理方法及回蚀方法 公开/授权日：2012-05-09
IPC分类:
