发明授权
- 专利标题: 一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法
- 专利标题(英): Method for preventing photoetching machine from being stained by metal on back of silicon chip
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申请号: CN201110110191.3申请日: 2011-04-29
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公开(公告)号: CN102420113B公开(公告)日: 2013-12-04
- 发明人: 周军
- 申请人: 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构: 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 王敏杰
- 主分类号: H01L21/027
- IPC分类号: H01L21/027
摘要:
本发明公开了一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法,该方法包括:对要进入光刻机的硅片进行背面清洗处理;然后将清洗处理完的硅片置于一个临时性托盘上,该托盘所使用的底层材料为硅,正面材料不含金属,有与硅片切口对应的凸起,且具有如下特性:与硅片背面的硅在平行于硅片表面的方向的静态摩擦阻力非常高,在垂直于硅片表面的方向没有显著的粘附力;将硅片和该临时性托盘一起送入光刻机,进行光阻的旋转涂覆,曝光及显影;最后将硅片和该临时性托盘分离,再次对硅片背面进行背面清洗处理。本发明避免了光刻机被硅片背面金属沾污,可将前后道硅片用同一台光刻机进行工艺,提高了产能,同时节省了采购新光刻机的巨额成本。
公开/授权文献
- CN102420113A 一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法 公开/授权日:2012-04-18
IPC分类: