发明公开
- 专利标题: 硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法
- 专利标题(英): Czochralski silicon monocrystal growth furnace and method for filling silicon melts continuously
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申请号: CN201110407848.2申请日: 2011-12-09
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公开(公告)号: CN102418140A公开(公告)日: 2012-04-18
- 发明人: 曾泽斌
- 申请人: 曾泽斌
- 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区求是村67栋1单元702
- 专利权人: 曾泽斌
- 当前专利权人: 曾泽斌
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区求是村67栋1单元702
- 代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 张法高
- 主分类号: C30B15/00
- IPC分类号: C30B15/00 ; C30B29/06
摘要:
本发明公开了一种硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法。由提拉头、副炉室、隔离阀、炉体、上部保温罩、加热器、坩埚升降旋转机构、石墨坩埚、坩埚、钢丝绳、夹头等组成单晶提拉部分,由小炉筒、加料仓,隔离阀、加料和称重装置、连续熔化管,隔热体、加热器、熔体温度稳定管等构成熔体连续加注部分,实现多晶硅的连续熔化和硅单晶的连续生长。本发明能将相邻两次打开单晶炉的间隔时间延长到30天以上,能有效降低坩埚的尺寸、降低直拉硅单晶生长方法的能耗,提高了生产效率,也能有效降低直拉硅单晶生长方法的氧含量。
IPC分类: