• 专利标题: 硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法
  • 专利标题(英): Czochralski silicon monocrystal growth furnace and method for filling silicon melts continuously
  • 申请号: CN201110407848.2
    申请日: 2011-12-09
  • 公开(公告)号: CN102418140A
    公开(公告)日: 2012-04-18
  • 发明人: 曾泽斌
  • 申请人: 曾泽斌
  • 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区求是村67栋1单元702
  • 专利权人: 曾泽斌
  • 当前专利权人: 曾泽斌
  • 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区求是村67栋1单元702
  • 代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司
  • 代理商 张法高
  • 主分类号: C30B15/00
  • IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06
硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法
摘要:
本发明公开了一种硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法。由提拉头、副炉室、隔离阀、炉体、上部保温罩、加热器、坩埚升降旋转机构、石墨坩埚、坩埚、钢丝绳、夹头等组成单晶提拉部分,由小炉筒、加料仓,隔离阀、加料和称重装置、连续熔化管,隔热体、加热器、熔体温度稳定管等构成熔体连续加注部分,实现多晶硅的连续熔化和硅单晶的连续生长。本发明能将相邻两次打开单晶炉的间隔时间延长到30天以上,能有效降低坩埚的尺寸、降低直拉硅单晶生长方法的能耗,提高了生产效率,也能有效降低直拉硅单晶生长方法的氧含量。
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