发明授权
- 专利标题: TEM样品的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of TEM (Transmission Electron Microscopy) sample
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申请号: CN201010292468.4申请日: 2010-09-19
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公开(公告)号: CN102410947B公开(公告)日: 2013-03-06
- 发明人: 段淑卿 , 庞凌华 , 陈柳 , 王玉科 , 陈祯祥
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: G01N1/28
- IPC分类号: G01N1/28
摘要:
本发明提供了一种TEM样品的制备方法,包括步骤:提供检测样片,所述检测样片上具有接触孔以及位于接触孔两侧的金属层,所述金属层与接触孔内的填充金属通过金属连线相连;从所述检测样片中切割出样片,所述样片包括所述接触孔、所述金属连线和所述金属层;在所述样片正面的接触孔、金属互连线和金属层的两侧形成凹坑,所述凹坑具有与所述接触孔、金属互连线和金属层相对的相对面;从所述凹坑的相对面减薄所述样片的接触孔和部分金属连线所在区域的厚度;将所述凹坑之间的样片切割下来,并且切割下来的部分包括被减薄的区域和被减薄区域两侧的具有金属层的未被减薄区域,从而提高了TEM观测的精确性。
公开/授权文献
- CN102410947A TEM样品的制备方法 公开/授权日:2012-04-11