发明授权
CN102364345B 具有所装配的电路载体的电路装置及相应功率半导体模块
失效 - 权利终止
- 专利标题: 具有所装配的电路载体的电路装置及相应功率半导体模块
- 专利标题(英): Circuit arrangement with shunt resistor and semiconductor module with corresponding power
-
申请号: CN201110167479.4申请日: 2011-06-21
-
公开(公告)号: CN102364345B公开(公告)日: 2015-07-01
- 发明人: T.洪 , M.托本
- 申请人: 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址: 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 专利权人: 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人: 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 张涛; 李家麟
- 优先权: 102010030317.8 2010.06.21 DE
- 主分类号: G01R1/30
- IPC分类号: G01R1/30 ; G01R19/00 ; G01R27/00 ; H01L25/065 ; H01L25/16
摘要:
本发明涉及具有并联电阻的电路装置。本发明涉及一种具有装配有并联电阻(3)的电路载体(2)的电路装置。该装置包括:具有上侧(5a)的扁平绝缘载体(5)以及施加到该上侧(5a)上的结构化的金属化层(6);第一功率半导体芯片(1),其布置在金属化层(6)的第一片段(61)上并且具有与第一片段(61)导电地连接的第一下芯片负载接线端子(11)。并联电阻(3)布置在金属化层(6)的第二片段(62)上并且具有与第二片段(62)导电连接的下主接线端子(31)。在第一片段(61)与第二片段(62)之间构造有导电连接(4),其包括构造在第一片段与第二片段之间的狭窄部(40),在电路装置运行时在第一下芯片负载接线端子(11)与下主接线端子(31)之间流动的电流必然经过狭窄部(40)。
公开/授权文献
- CN102364345A 具有并联电阻的电路装置 公开/授权日:2012-02-29