- 专利标题: 半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法
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申请号: CN201110185003.3申请日: 2011-06-30
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公开(公告)号: CN102347264B公开(公告)日: 2016-12-21
- 发明人: 高本尚英 , 志贺豪士 , 浅井文辉
- 申请人: 日东电工株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 日东电工株式会社
- 当前专利权人: 日东电工株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权: 2010-169556 2010.07.28 JP
- 主分类号: H01L21/68
- IPC分类号: H01L21/68 ; H01L21/78 ; C09J7/02
摘要:
本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜,其包括:隔离膜;和多个粘贴粘合剂层的切割带,所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层,所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上,其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口,和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。
公开/授权文献
- CN102347264A 半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法 公开/授权日:2012-02-08
IPC分类: