Invention Publication
CN102308678A 电路沉积的方法
无效 - 撤回
- Patent Title: 电路沉积的方法
- Patent Title (English): Method for electric circuit deposition
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Application No.: CN200980156484.6Application Date: 2009-12-11
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Publication No.: CN102308678APublication Date: 2012-01-04
- Inventor: A·赫韦斯泰特 , R·A·塔肯 , H·伦德林 , H·H·缇马内什
- Applicant: 应用科学研究TNO荷兰组织
- Applicant Address: 荷兰代尔夫特
- Assignee: 应用科学研究TNO荷兰组织
- Current Assignee: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
- Current Assignee Address: 荷兰代尔夫特
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 刘佳
- Priority: 08171451.1 2008.12.12 EP
- International Application: PCT/NL2009/050755 2009.12.11
- International Announcement: WO2010/068104 EN 2010.06.17
- Date entered country: 2011-08-05
- Main IPC: H05K3/18
- IPC: H05K3/18 ; C23C18/16

Abstract:
本发明涉及一种具有电路的导电图案的基板的制备方法,还涉及具有所述导电图案的所述基板以及包括具有所述导电图案的所述基板的设备。本发明的方法包括:(a)提供电绝缘或半导电的基板,该基板包括第一金属或其合金的纳米粒子的分布;(b)-将抑制性材料层涂到所述基板上,并且-通过光感应、热、化学和/或电化学的方式局部地去除或去活化该抑制性材料层,并由此露出第一金属或其合金的至少一部分,以便获得电路的图案;(c)通过无电处理过程,在步骤(b)中所获得的基板中存在的第一金属或其合金的露出部分上,沉积第二金属或其合金的层,由此在步骤(b)之后仍然存在于基板上的抑制性材料局部地抑制了要被沉积到第一金属或其合金上的第二金属或其合金,从而确保了第二金属或其合金将被选择性地沉积到步骤(b)中所获得的第一金属或其合金的露出部分上。
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