- 专利标题: 高压变频器中均匀压接的IGCT逆变电路的独立测试方法
- 专利标题(英): Independent test method for uniformly crimped IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) inverter circuits in high-voltage frequency converter
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申请号: CN201110175368.8申请日: 2006-02-23
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公开(公告)号: CN102279361B公开(公告)日: 2013-12-11
- 发明人: 杨志勇 , 李冰 , 杨志 , 朱虎 , 冯永峰 , 张雪芹 , 赵争鸣
- 申请人: 国电南京自动化股份有限公司 , 清华大学
- 申请人地址: 江苏省南京市鼓楼区新模范马路38号
- 专利权人: 国电南京自动化股份有限公司,清华大学
- 当前专利权人: 国电南京自动化股份有限公司,清华大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市鼓楼区新模范马路38号
- 代理机构: 南京纵横知识产权代理有限公司
- 代理商 董建林; 许婉静
- 分案原申请号: 2006100384685 2006.02.23
- 主分类号: G01R31/327
- IPC分类号: G01R31/327
摘要:
本发明涉及高压变频器的IGCT逆变电路压接均匀度检验措施和独立测试方法。属于IGCT高压变频器制造技术领域。本发明在压接中特别采用压力试纸真实检验压力分布情况,根据试纸颜色分布状况判断压力分布是否均匀,并且重新调整压接方向。在所有压接好的逆变电路安装好以后,在逆变电路中针对所有IGCT分别构造出单管测试电路拓扑,采用专门的控制电路发出特定频率、占空比和数量的脉冲,记录下每个IGCT对应的电压和电流波形,并通过分析比较波形就可以在变频器控制系统不参与的条件下独立检验逆变电路的性能,从电气方面判断压接质量,同时便于调整吸收电路参数。
公开/授权文献
- CN102279361A 高压变频器中均匀压接的IGCT逆变电路的独立测试方法 公开/授权日:2011-12-14