发明授权
- 专利标题: 中空石墨电极的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of hollow graphite electrode
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申请号: CN201010596809.7申请日: 2010-12-20
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公开(公告)号: CN102249680B公开(公告)日: 2014-01-08
- 发明人: 龚炳生
- 申请人: 福建兴朝阳硅材料股份有限公司
- 申请人地址: 福建省龙岩市上杭县南阳镇南阳工业区
- 专利权人: 福建兴朝阳硅材料股份有限公司
- 当前专利权人: 福建兴朝阳硅材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省龙岩市上杭县南阳镇南阳工业区
- 代理机构: 北京元中知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张聚增
- 主分类号: C04B35/52
- IPC分类号: C04B35/52 ; C04B35/622
摘要:
中空石墨电极的制备方法,涉及一种石墨电极。将糊料冷却后加到成型机的模具里,模具密封抽真空;将上下压头对糊料施压,振压;模具冷却后脱模,将制品冷却得石墨电极生坯,再经焙烧、石墨化、机加工处理后得石墨电极。避免因挥发份排除时造成的制品裂纹,经试验,挥发份排除的路径也相对减少约50%。月增加产量约48%,提高焙烧炉的产量约40%。焙烧合格率平均达95%,降低电极生产成本约3%,提高合格率约7%,煤耗相对降低约20%。焙烧后体积密度为1.59g/cm3。用于12600kVA硅炉上冶炼工业硅,据统计,每吨硅消耗电极90~100kg。主要针对直径超过700mm,长度大于2200mm的大规格石墨电极。
公开/授权文献
- CN102249680A 中空石墨电极的制备方法 公开/授权日:2011-11-23
IPC分类: