一种相变存储器单元形成方法，包括：提供形成有第一金属层的半导体衬底，所述半导体衬底形成有覆盖第一金属层的第一层间介质层，所述第一层间介质层表面覆盖有阻挡层和第二层间介质层，形成在第二层间介质层、阻挡层和第一层间介质层内并暴露出第一金属层的开口；在所述开口的侧壁和底部形成粘附层；采用第二金属层填满所述开口；刻蚀开口内的第二金属层与阻挡层齐平；刻蚀粘附层并使得刻蚀后的粘附层高于刻蚀后的第二金属层；采用相变材料层填满所述开口。本发明形成的相变存储器单元性能较优。