Invention Publication
CN102191546A 一种氯化亚铜晶体的生长方法
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- Patent Title: 一种氯化亚铜晶体的生长方法
- Patent Title (English): The method of cuprous chloride crystal growth
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Application No.: CN201010139513.2Application Date: 2010-03-08
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Publication No.: CN102191546APublication Date: 2011-09-21
- Inventor: 潘建国 , 赵玲燕 , 崔玉杰 , 陈素珍 , 陈红兵 , 李星
- Applicant: 宁波大学
- Applicant Address: 浙江省宁波市江北区风华路818号
- Assignee: 宁波大学
- Current Assignee: 宁波大学
- Current Assignee Address: 浙江省宁波市江北区风华路818号
- Main IPC: C30B29/12
- IPC: C30B29/12 ; C30B7/08

Abstract:
一种氯化亚铜晶体的生长方法,属于光电子功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长领域,尤其是涉及一种作为光电晶体材料。该方法使用含卤离子的离子液体为生长溶剂,采用降温的方法生长晶体。生长设备简单、工艺易控制。所生长出的晶体晶形完整、缺陷少、尺寸较大。生长的晶体在激光调Q、光电子技术等方面具有很重要的应用价值。
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