发明授权
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method for manufacturing same
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申请号： CN200980139284.X申请日： 2009-10-13
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公开(公告)号： CN102171800B公开(公告)日： 2014-01-29
- 发明人: 鸟居克行
- 申请人： 三垦电气株式会社
- 申请人地址： 日本埼玉县
- 专利权人： 三垦电气株式会社
- 当前专利权人： 三垦电气株式会社
- 当前专利权人地址： 日本埼玉县
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 黄纶伟
- 优先权： 2008-277839 2008.10.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2009/005316 2009.10.13
- 国际公布： WO2010/050130 JA 2010.05.06
- 进入国家日期： 2011-04-02
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/739 ; H01L29/78
摘要：
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其能够获得同时实现较高的开关速度与较低的导通电阻的IGBT。该IGBT(10)中，结晶缺陷层(25)在有源区(20)中形成于n层(102)中，在无源区(40)形成于p型基板(101)中。即，有源区(20)中的结晶缺陷层(25)形成于从表面观察时比无源区(40)中的结晶缺陷层(25)浅的位置。在该IGBT(10)中，通过上述构成使得空穴注入量在无源区(40)中减少，从而提高开关速度。另一方面，有源区(20)中空穴注入量的减少量比无源区(40)少。因此能够抑制此时的导通电阻的增大。
公开/授权文献
- CN102171800A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2011-08-31
IPC分类:
