本发明公开了一种改善太阳能电池表面扩散的方法，包括以下步骤：a：在750～850℃下，通入Ar气，对P型单晶硅片退火处理；b：将步骤a中退火处理的硅片氧化处理；c：将步骤b中生成的氧化层硅片进行磷扩散；d：将步骤c中扩散后的硅片通入大氮气和氧气进行处理；e：将步骤d处理后的硅片在750-850℃下，通入Ar气，进行退火处理。本发明通过在扩散工艺中引入Ar气对硅片进行退火处理，使硅片表面扩散均匀，提高太阳能电池的转换效率。与传统的扩散工艺相比，不改变原有扩散设备，只是改变了工艺，可控性强，可重复性强。同时，引入Ar气之后可以有效改善材料性能，在提高PN结连续性，工艺稳定性、重复性及生产适用性上都有所提高。