本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体结构的形成方法：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域；在所述区域表面依次沉积具有张应力的氮化硅层和HMO；在HMO的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化该光阻胶层，使图案化的光阻胶层开口显露出第一区域上的HMO，覆盖第二区域上的HMO；以图案化的光阻胶层为掩膜，对显露出的第一区域上的HMO进行刻蚀；灰化去除所述图案化的光阻胶层的一部分；以剩余部分的光阻胶层和第二区域上的HMO为掩膜，去除第一区域上具有张应力的氮化硅层，显露出第一区域，而且剩余部分的光阻胶层消耗完毕。该方法有效减少第二区域上HMO的损耗。