- 专利标题： 半导体密封材料以及使用该半导体密封材料的半导体密封方法
- 专利标题（英）： Semiconductor encapsulation material and method for encapsulating semiconductor using the same
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申请号： CN200980119133.8申请日： 2009-06-18
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公开(公告)号： CN102046548B公开(公告)日： 2013-12-11
- 发明人: 桥本幸市
- 申请人： 日本电气硝子株式会社
- 申请人地址： 日本滋贺县
- 专利权人： 日本电气硝子株式会社
- 当前专利权人： 日本电气硝子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本滋贺县
- 代理机构： 北京泛诚知识产权代理有限公司
- 代理商 陈波; 杨本良
- 优先权： 2008-165700 2008.06.25 JP
- 国际申请： PCT/JP2009/061113 2009.06.18
- 国际公布： WO2009/157365 JA 2009.12.30
- 进入国家日期： 2010-11-25
- 主分类号： C03C3/091
- IPC分类号： C03C3/091 ; C03C3/089 ; C03C3/093 ; H01L23/29 ; H01L23/31
摘要：
本发明的半导体密封材料的特征在于，由金属包覆用玻璃构成，该金属包覆用玻璃的应变点为480℃以上，与104dPa·s的粘度相应的温度为1100℃以下，在30～380℃下的热膨胀系数为70×10-7～110×10-7/℃。本发明的半导体密封材料不含对环境有害的物质，具有500℃以上的较高耐热温度，而且，可以密封镀铜铁镍合金等易氧化的金属。
公开/授权文献
- CN102046548A 半导体密封材料以及使用该半导体密封材料的半导体密封方法 公开/授权日：2011-05-04
