发明授权
- 专利标题: Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法
- 专利标题(英): III nitride semiconductor laser element and method for manufacturing iii nitride semiconductor laser element
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申请号: CN200980104006.0申请日: 2009-07-16
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公开(公告)号: CN101984774B公开(公告)日: 2013-02-13
- 发明人: 善积祐介 , 盐谷阳平 , 京野孝史 , 足立真宽 , 秋田胜史 , 上野昌纪 , 住友隆道 , 德山慎司 , 片山浩二 , 中村孝夫 , 池上隆俊
- 申请人: 住友电气工业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人: 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王海川; 穆德骏
- 优先权: 2009-144442 2009.06.17 JP
- 国际申请: PCT/JP2009/062895 2009.07.16
- 国际公布: WO2010/146723 JA 2010.12.23
- 进入国家日期: 2010-08-03
- 主分类号: H01S5/323
- IPC分类号: H01S5/323 ; H01S5/343
摘要:
本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件,其中,具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此,可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中,第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成,与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
公开/授权文献
- CN101984774A Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 公开/授权日:2011-03-09