Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法
摘要:
本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件,其中,具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此,可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中,第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成,与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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