发明授权
CN101976683B 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
- 专利标题(英): Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof
-
申请号: CN201010290339.1申请日: 2010-09-25
-
公开(公告)号: CN101976683B公开(公告)日: 2011-12-21
- 发明人: 张斌 , 韩雁 , 张世峰 , 胡佳贤 , 朱大中
- 申请人: 浙江大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 专利权人: 浙江大学
- 当前专利权人: 浙江大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 代理机构: 杭州天勤知识产权代理有限公司
- 代理商 胡红娟
- 主分类号: H01L29/739
- IPC分类号: H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L21/331
摘要:
本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法,该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、集电极、栅电极和发射极,所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N-基区和N+缓冲层组成,所述的N+扩散残留层和N+缓冲层从与N-基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。本发明绝缘栅双极型晶体管在N-基区正面设置N+扩散残留层,提高了N型正面的离子掺杂浓度,降低了JEFT电阻的影响,从而有效降低IGBT的导通状态下的电压降。
公开/授权文献
- CN101976683A 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 公开/授权日:2011-02-16
IPC分类: