发明授权
CN101964290B 一种多级降压收集极材料及其制备和表面处理方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种多级降压收集极材料及其制备和表面处理方法
- 专利标题(英): Multi-stage depressed collector material and preparation and surface treatment method thereof
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申请号: CN200910089590.9申请日: 2009-07-22
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公开(公告)号: CN101964290B公开(公告)日: 2012-01-18
- 发明人: 赵世柯 , 樊会明 , 肖东梅 , 邓峰 , 苏小保
- 申请人: 中国科学院电子学研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区北四环西路19号
- 专利权人: 中国科学院电子学研究所
- 当前专利权人: 中国科学院电子学研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区北四环西路19号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 周国城
- 主分类号: H01J23/027
- IPC分类号: H01J23/027 ; H01J25/34 ; C22C1/08 ; H01J9/14 ; C23F1/18 ; C23F1/34 ; C23G1/10
摘要:
本发明公开了一种多级降压收集极材料及其制备和表面处理方法,涉及真空电子技术,是新型的可用于卫星行波管多级降压收集极的微孔电极材料及其处理工艺。本发明的电极材料具有微米、亚微米级的微孔结构,有利于抑制次级电子发射,提高多级降压收集极的回收效率,进而提高行波管的总效率。本发明的方法工艺过程简单、可控,成本低廉,制备的多级降压收集极电极表面特征与经离子束改性处理的表面具有等同的抑制二次电子发射的效果。
公开/授权文献
- CN101964290A 一种多级降压收集极材料及其制备和表面处理方法 公开/授权日:2011-02-02