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发明公开
CN101944475A 制造半导体器件的方法及图案形成方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 制造半导体器件的方法及图案形成方法
  • 专利标题（英）： Method of manufacturing semiconductor device and pattern formation method
  • 申请号： CN201010219713.9
    申请日： 2010-06-29
  • 公开(公告)号： CN101944475A
    公开(公告)日： 2011-01-12
  • 发明人: 宫本宏之
  • 申请人： 索尼公司
  • 申请人地址： 日本东京都
  • 专利权人： 索尼公司
  • 当前专利权人： 索尼公司
  • 当前专利权人地址： 日本东京都
  • 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
  • 代理商 彭久云
  • 优先权： 159905/09 2009.07.06 JP
  • 主分类号： H01L21/00
  • IPC分类号： H01L21/00 ;  G03F7/00 ;  G03F7/40
制造半导体器件的方法及图案形成方法
摘要：
本发明提供了一种制造半导体器件的方法及图案形成方法。制造半导体器件的方法包括：第一抗蚀剂膜形成工艺，使用正型光致抗蚀剂材料在处理的目标表面上形成第一抗蚀剂膜；第一抗蚀剂图案形成工艺，在曝光之后进行显影而形成第一抗蚀剂图案，在曝光中曝光光照射到第一抗蚀剂膜上；第二抗蚀剂膜形成工艺，使用光致抗蚀剂材料在形成有第一抗蚀剂图案的处理的目标表面上形成第二抗蚀剂膜；以及第二抗蚀剂图案形成工艺，通过进行曝光并然后进行显影来形成第二抗蚀剂图案，在曝光中曝光的光照射到第二抗蚀剂膜上。该方法还包括不溶解化处理工艺，用于使第一抗蚀剂图案不溶解于第二抗蚀剂图案形成工艺中使用的显影剂和光致抗蚀剂材料的溶剂。
摘要（英）：

A method of manufacturing a semiconductor device, includes: a first resist film formation process of forming a first resist film on a processing target surface using a positive-type photoresist material; a first resist pattern formation process of forming a first resist pattern by performing development after exposure in which light is irradiated onto the first resist film; a second resist film formation process of forming a second resist film on the processing target surface, where the first resist pattern is formed, using a photoresist material; and a second resist pattern formation process of forming a second resist pattern by performing exposure in which light is irradiated onto the second resist film and then performing development. The method further includes an insolubilization process for insolubilizing the first resist pattern against a developer and a solvent of a photoresist material used in the second resist pattern formation process.

公开/授权文献
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