发明授权
CN101919050B 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN200980101354.2申请日: 2009-01-07
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公开(公告)号: CN101919050B公开(公告)日: 2012-02-29
- 发明人: 大前彩 , 马渊雄一 , 中村笃
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 孟祥海
- 优先权: 2008-022750 2008.02.01 JP
- 国际申请: PCT/JP2009/050047 2009.01.07
- 国际公布: WO2009/096203 JA 2009.08.06
- 进入国家日期: 2010-06-13
- 主分类号: H01L23/12
- IPC分类号: H01L23/12 ; H01L25/00
摘要:
本发明提供一种半导体器件,用于在半导体器件的内部取得电源布线/接地布线的阻抗匹配,不依赖于电路基板的安装布局而使噪声电流减少。本发明的代表性实施方式的半导体器件具有封装衬底、半导体芯片、电源布线以及接地布线,还具有导电板、第一阻抗调整元件和第二阻抗调整元件,根据导电板确定电源布线、接地布线的寄生电容,通过第一阻抗调整元件和第二阻抗调整元件来调整电源布线和接地布线的阻抗。
公开/授权文献
- CN101919050A 半导体器件 公开/授权日:2010-12-15
IPC分类: