发明公开
CN101916749A 制造多个半导体器件的方法和设备
无效 - 驳回
- 专利标题： 制造多个半导体器件的方法和设备
- 专利标题（英）： Method and apparatus for fabricating a plurality of semiconductor devices
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申请号： CN201010230664.9申请日： 2008-03-12
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公开(公告)号： CN101916749A公开(公告)日： 2010-12-15
- 发明人: B·-H·姜
- 申请人： 英飞凌科技股份公司
- 申请人地址： 德国新比贝格
- 专利权人： 英飞凌科技股份公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份公司
- 当前专利权人地址： 德国新比贝格
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 徐予红
- 优先权： 11/684849 2007.03.12 US
- 分案原申请号： 2008100951552 2008.03.12
- 主分类号： H01L23/495
- IPC分类号： H01L23/495 ; H01L21/56 ; H01L21/60
摘要：
本发明涉及制造多个半导体器件的方法和设备。一种方法，包括提供包括多个腔体的载体的步骤；在每个腔体内布置至少一个半导体元件；使用封装材料填充多个腔体；以及移除该载体。
IPC分类:
