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发明公开
CN101911303A 氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 有权

氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
摘要：
本发明提供一种场效应晶体管，其具有半导体层，所述半导体层包含以下述(1)～(3)式的原子比包含In元素及Zn元素、和选自Zr、Hf、Ge、Si、Ti、Mn、W、Mo、V、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Nb、Al、B、Sc、Y及镧系元素类中的一种以上元素X的复合氧化物。In/(In+Zn)＝0.2～0.8 (1)；In/(In+X)＝0.29～0.99 (2)；Zn/(X+Zn)＝0.29～0.99 (3)。
摘要（英）：

Disclosed is a field effect transistor having a semiconductor layer which is composed of a complex oxide containing element In, element Zn, and one or more elements X selected from the group consisting of Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y and lanthanoids at the following atomic ratios (1)-(3). In/(In + Zn) = 0.2-0.8 (1) In/(In + X) = 0.29-0.99 (2) Zn/(X + Zn) = 0.29-0.99 (3).

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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