本发明提供一种腔室环境的控制方法，包括：对晶片进行等离子体加工工艺前，在腔室内原位沉积钝化层，使得腔室内部环境均被该钝化层覆盖，接着进行该晶片的等离子体加工工艺，于是各个晶片在加工过程中腔室内均为被钝化层覆盖的环境。在以后其他晶片的等离子体加工时，可以每隔几个晶片重复沉积一次所述钝化层，可选的，每连续加工一定数量的晶片后，在下一晶片加工前重新沉积一次钝化层。优选的，在腔室内原位沉积钝化层之后还包括：对所述钝化层进行等离子体清洗，以去除所述钝化层表面的附着物。采用本发明提供的控制方法在批量晶片的等离子体加工过程中控制腔室内的环境，有利于提高等离子体加工的生产效率和降低成本。