一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的第一主体(12)。在该主体内的第一结区域(18)形成在该主体的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间。在该主体内的第二结区域(20)形成在该主体的第二区域和该主体的第一掺杂类型的第三区域之间。所述第一和第二结区域彼此间隔开不超出少数载流子扩散长度。将端子布置连接到该主体的第一、第二和第三区域，以在使用时用于将第一结区域反向偏置为雪崩或场发射模式，和用于将第二结区域正向偏置以将载流子注入到第一结区域中。隔离材料的第二主体(22)位置紧邻所述第三区域的至少一个壁，从而减少来自所述第三区域的寄生注入。