Invention Grant
- Patent Title: 硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用
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Application No.: CN201010011815.1Application Date: 2010-01-07
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Publication No.: CN101775657BPublication Date: 2011-12-28
- Inventor: 于法鹏 , 袁多荣 , 张树君 , 潘立虎 , 尹鑫 , 郭世义 , 段秀兰 , 赵显
- Applicant: 山东大学
- Applicant Address: 山东省济南市历城区山大南路27号
- Assignee: 山东大学
- Current Assignee: 山东本源晶体科技有限公司
- Current Assignee Address: 山东省济南市历城区山大南路27号
- Agency: 济南金迪知识产权代理有限公司
- Agent 赵会祥
- Main IPC: C30B29/34
- IPC: C30B29/34 ; G01D3/036

Abstract:
本发明涉及一种硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用。对于32点群的硅酸镓镧系列晶体,正的d11的方向取为x的正方向,y、z方向根据右手螺旋法则确定;晶体厚度方向为Y,长度方向为X,以X方向按右手螺旋法则旋转α角度,记为YXltw(α),-90°<α<+20°,+α为逆时针旋转,-α为顺时针旋转;切型尺寸比例为厚度∶宽度∶长度=0.2~2∶6~12∶6~12。本发明的硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型和频率器件具有频率稳定性高,适应温度范围广,晶片加工简单的特点。
Public/Granted literature
- CN101775657A 硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用 Public/Granted day:2010-07-14
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IPC分类: