• 专利标题: 采用常通开关的半桥电路及阻止非计划电流流过其中的方法
  • 专利标题(英): Half-bridge circuits employing normally on switches and methods of preventing unintended current flow therein
  • 申请号: CN200880025677.3
    申请日: 2008-05-21
  • 公开(公告)号: CN101772881A
    公开(公告)日: 2010-07-07
  • 发明人: 迈克尔·S·马佐拉罗宾·L·凯利
  • 申请人: 半南实验室公司
  • 申请人地址: 美国密西西比州
  • 专利权人: 半南实验室公司
  • 当前专利权人: PI,公司
  • 当前专利权人地址: 美国密西西比州
  • 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
  • 代理商 李辉
  • 优先权: 11/802,388 2007.05.22 US
  • 国际申请: PCT/US2008/064339 2008.05.21
  • 国际公布: WO2008/147801 EN 2008.12.04
  • 进入国家日期: 2010-01-21
  • 主分类号: H02M3/00
  • IPC分类号: H02M3/00 H03K17/94
采用常通开关的半桥电路及阻止非计划电流流过其中的方法
摘要:
本发明描述了一种用于使包含诸如结型场效应晶体管(JFET)的常通开关的半桥电路固有安全、免受不受控制电流的影响的方法。这些开关可以由碳化硅或硅制成。这里描述的方法允许在集成电源模块中利用性能更好的常通开关取代常断开关,由此改善集成电源模块的效率、尺寸、重量和成本。如这里所描述的,可以向栅极驱动器电路添加电源。该电源可以是自启动和自振荡的,同时能够通过该栅极驱动器从向常通开关供应电势的端子获取其所有源能量。然后该常通开关的端子特性可以与该电源的输入输出特性协调。
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