- 专利标题: 切割和芯片接合用带以及半导体芯片的制造方法
-
申请号: CN200880024635.8申请日: 2008-07-10
-
公开(公告)号: CN101772831B公开(公告)日: 2011-12-21
- 发明人: 松田匠太 , 渡部功治 , 林聪史 , 福冈正辉
- 申请人: 积水化学工业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人: 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张平元
- 优先权: 188003/07 2007.07.19 JP
- 国际申请: PCT/JP2008/062496 2008.07.10
- 国际公布: WO2009/011281 JA 2009.01.22
- 进入国家日期: 2010-01-13
- 主分类号: H01L21/301
- IPC分类号: H01L21/301 ; C09J7/02 ; H01L21/52 ; H01L21/683
摘要:
提供一种切割和芯片接合用带,在对半导体晶片进行切割,并连同芯片接合膜一起拾取半导体芯片时,通过所述切割和芯片接合用带可以容易地且切实地对半导体芯片进行拾取。一种切割和芯片接合用带,该切割和芯片接合用带具备粘合剂层和层叠在该粘合剂层上的非粘性层;其中,所述非粘性层由含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物形成,在拾取半导体芯片时的温度下,所述非粘性层的储能模量为1~400MPa,且断裂伸长率为5~100%。
公开/授权文献
- CN101772831A 切割和芯片接合用带以及半导体芯片的制造方法 公开/授权日:2010-07-07
IPC分类: