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发明授权
CN101746739B 一种氮化碳纳米锥及其制备方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 一种氮化碳纳米锥及其制备方法
  • 专利标题（英）： Azotized carbon nano cones and method for preparing same
  • 申请号： CN200810203597.4
    申请日： 2008-11-28
  • 公开(公告)号： CN101746739B
    公开(公告)日： 2011-11-02
  • 发明人: 许宁 , 胡巍 , 许晓峰
  • 申请人： 复旦大学
  • 申请人地址： 上海市杨浦区邯郸路220号
  • 专利权人： 复旦大学
  • 当前专利权人： 复旦大学
  • 当前专利权人地址： 上海市杨浦区邯郸路220号
  • 代理机构： 上海翼胜专利商标事务所
  • 代理商 翟羽
  • 主分类号： C01B21/082
  • IPC分类号： C01B21/082
一种氮化碳纳米锥及其制备方法
摘要：
一种氮化碳纳米锥及其制备方法，所述氮化碳纳米锥包含β-C3N4、石墨相C3N4和CNx；其中，x为正整数或小数。其制备方法包含如下步骤：(1)在一个真空腔中的光滑衬底材料表面沉积一层10～100纳米的金属中间层；(2)将所述衬底加热至280～300摄氏度，使其自然冷却；(3)将步骤(2)所得的衬底放置在真空腔内的一个石墨基座上，该石墨基座上方设置一原子束源，将1/20～1/150体积比的甲烷/氮气混合气体通入该原子束源；(4)保持所述原子束源的放电电压在100～300伏之间、原子束源内气压为3～100乇，沉积速率为0.01～0.1微米/分钟，沉积时间为5～45分钟；得到氮化碳纳米锥。
摘要（英）：

The present invention provides a CNx nano cones and a method for preparing the same. The CNx nano cones comprise beta-C3N4 and graphite phase C3N4 and CNx, wherein x is a positive integer or decimal. The preparation method comprises the following steps of: (1) depositing a 10-100 nanometer metallic intermediate layer on the surface of a smooth substrate material in a vacuum cavity; (2) heating the substrate to the temperature of between 280 and 300 DEG C, and naturally cooling the substrate; (3) placing the substrate obtained by the step(2) on a graphite base in the vacuum cavity, placing an atomic beam source arranged above the graphite base, filling methane/nitrogen mixed gas, of which the volume ratio is one twentieths to one hundred and fiftieths, in the atomic beam source; and (4) keeping the discharge voltage of the atomic beam source between 100 and 300 volts and the air pressure in the atomic beam source between 3 and 100 torr, and obtaining the CNx nano cone, wherein the deposition rate is 0.01 to 0.1 micrometers per minute, and the deposition time is 5 to 45 minutes.

公开/授权文献
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