本发明涉及一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法。有源矩阵有机发光二极管像素结构包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线、信号线和电源线，所述像素区域内分别形成有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、像素电极和公共电极线，所述第一薄膜晶体管的第一漏电极作为第二薄膜晶体管的栅电极。由于本发明取消了现有技术的第一像素电极，不仅减少了工艺步骤，降低了生产成本，而且减少了像素结构的厚度。同时，由于本发明公共电极线与第一漏电极之间仅存在第一绝缘层，公共电极线与第一漏电极间的垂直距离较小，因此增大了公共电极线与第一漏电极间形成的存储电容。